Hasselt, België, 20 maart, 2014. EpiGaN nv, een wereldleider op het vlak van III-nitride epitaxiale halfgeleider materialen, heeft de prestigieuze titel Nationaal Trends Gazellen Ambassadeur in de categorie “Starter van het jaar” gewonnen. Deze prijs wordt naar jaarlijkse gewoonte uitgereikt aan een starter met een snelle groei in omzet en werknemers gedurende de voorbije 3 jaren. Ze worden voorts geselecteerd voor hun hoog-innovatieve producten gebruikt in een grote en internationale markt, de mooie groei perspectieven en lokale job creatie. De prijs werd uitgereikt door Vlaams Minister-President, Mr. Kris Peeters, in Brussel.

“We zijn enorm trots en blij met deze titel en erkenning,” zegt Marianne Germain, CEO en medeoprichter van EpiGaN. “We vinden het geweldig om beloond te worden voor het harde werk van het hele team en constante inzet sinds de oprichting in 2010. En dit is nog maar het begin, want we zijn volop bezig met de uitbreiding van onze productiecapaciteit om de volume groei van
onze klanten wereldwijd te steunen.”

EpiGaN bedekt silicium schijven met een laagje galliumnitride (GaN). Deze GaN-on-Si (gallium nitride-op-silicium) epitaxiale schijven worden gebruikt om transistoren te maken die terecht
komen in hoogspanning vermogensschakelingen en hoogfrequente RF componenten. Deze GaN schakelingen helpen om energie te besparen in opladers voor draagbare consumenten elektronica, industriële voedingsbronnen, AC motoren, GSM masten, kabel TV infrastructuur, enz.
EpiGaN verkoopt deze GaN-on-Si epitaxiale schijven aan klanten wereldwijd.

Het bedrijf heeft haar productie faciliteiten op de Corda campus in Hasselt geïnstalleerd omdat de “cleanroom” infrastructuur aanwezig was. Het is ideaal gelegen in een zeer internationaal gebied, de driehoek Aken, Eindhoven en Leuven. EpiGaN is één van de weinige Vlaamse bedrijven die de productie van hoog technologische producten lokaal doen en zo jobs creëren.

Over EpiGaN
EpiGaN werd opgericht in 2010 door Marianne Germain, Stefan Degroote en Joff Derluyn, als spinoff van imec. Het voorziet oplossingen op wereldniveau op het vlak van III-nitride epitaxiale materialen voor toepassingen met extreme prestaties. In 2011, investeerden Capricorn Cleantech Fund, Robert Bosch Venture Capital (RBVC), en LRM gezamenlijk in EpiGaN om de productie van GaN-op-silicium op te starten. EpiGaN geeft de device fabrikanten toegang tot een unieke, bewezen en krachtige technologie in belangrijke marktsegmenten zoals voedingsbronnen, hybride en elektrische voertuigen, AC motoren, RFvermogen voor base stations, smart grid,... EpiGaN heeft haar activiteiten ondergebracht op de Corda Campus Hasselt in Limburg.
Voor meer information, ga naar www.epigan.com